Đèn LED cực tím và các ứng dụng của chúng là một hướng phát triển quan trọng của ngành công nghiệp bán dẫn thế hệ thứ ba. Để đẩy nhanh nghiên cứu khoa học và công nghệ lớn và chuyển đổi thành tựu, năm 2020, Viện Bán dẫn của Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc đã thực hiện nhiệm vụ nghiên cứu và phát triển của dự án "Công nghệ chip LED cực tím sâu hiệu quả cao có trụ sở tại Gallium Nitride".
Là một thế hệ mới của nguồn sáng cực tím, đèn LED cực tím sâu nitride đã thu hút sự chú ý lớn từ các nhà nghiên cứu và ngành công nghiệp từ khắp nơi trên thế giới, và những đột phá đã được thực hiện trong đổi mới công nghệ và đổi mới ứng dụng. Bằng cách tăng cường nghiên cứu lý thuyết cơ bản và giới thiệu các công nghệ mới, đơn vị dự án tập trung vào chìa khóa cho vật liệu mẫu AlN chất lượng cao, khiếm khuyết dị hợp tử lớn và kiểm soát căng thẳng của vật liệu AlGaN, thiết kế cấu trúc lượng tử hiệu quả cao và epitaxy, và chip LED cực tím sâu hiệu quả cao Công việc nghiên cứu về công nghệ chuẩn bị và công nghệ đóng gói tiên tiến đã cải thiện đáng kể hiệu quả lượng tử bên trong và hiệu quả khai thác ánh sáng của chip LED cực tím sâu. Các chip LED cực tím sâu công suất cao được chuẩn bị có công suất phát sáng vượt quá 40mW và công suất phát sáng cực tím sâu vượt quá 1W đã được phát triển. Mô-đun LED, tuổi thọ mô-đun là hơn 5000 giờ.
Hiện nay, các sản phẩm công suất cao có liên quan đã được sản xuất theo lô nhỏ. Sau khi quy mô công nghiệp hóa được mở rộng, nó có thể giảm hiệu quả chi phí chip và giá sản phẩm, thúc đẩy ngành công nghiệp đèn LED cực tím sâu để mở ra các lĩnh vực và thị trường ứng dụng mới, và thúc đẩy hiệu quả sự phát triển của các ngành liên quan đến thượng nguồn và hạ nguồn, và lợi ích kinh tế và xã hội sẽ rất quan trọng.
